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CSD17579Q3AT

更新时间： 2024-11-14 11:14:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 1025K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNH | 8 | -55 to 150

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CSD17579Q3AT 数据手册

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CSD17579Q3A  
ZHCSCT3A –SEPTEMBER 2014–REVISED JANUARY 2016  
CSD17579Q3A 30V N 通道NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
低 Qg 和 Qgd  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低 RDS(on)  
低热阻  
漏源电压  
30  
5.3  
1.2  
Qg  
总栅极电荷 (4.5V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
雪崩级  
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.5  
11.8  
8.7  
无铅  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
符合 RoHS 标准  
无卤素  
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封  
装
.
订购信息(1)  
数量  
器件  
包装介质  
封装  
发货  
卷带封装  
2 应用  
CSD17579Q3A 13 英寸卷带 2500  
CSD17579Q3AT 7 英寸卷带 250  
SON 3.3mm x  
3.3mm  
塑料封装  
•
用于网络、电信和计算系统中的 负载点 同步降压  
转换器  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
•
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化  
3 说明  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
值
30  
单位  
V
这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™  
功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的  
损耗提供了灵活性和便利性。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
±20  
20  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C  
时测得  
ID  
39  
A
顶视图  
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散(1)  
11  
106  
2.5  
29  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
A
W
功率耗散，TC = 25°C  
TJ， 工作结温，  
–55 至 150  
°C  
Tstg  
储存温度  
D
D
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 17A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
14  
mJ  
P0093-01  
(1) RθJA = 50°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷  
电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型  
值。  
.
.
(2) 最大 RθJC = 5.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%  
RDS(on) 与 VGS 对比  
栅极电荷  
30  
27  
24  
21  
18  
15  
12  
9
10  
TC = 25°C, I D = 8 A  
TC = 125°C, I D = 8 A  
ID = 8 A, VDS = 15 V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
3
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS527  
 
 
 
 
 
 
 
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