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CSD17579Q5AT

更新时间： 2024-11-14 11:11:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	576K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQJ \| 8 \| -55 to 150

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CSD17579Q5AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSONP-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	1.68
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	14.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.0133 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	52 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	105 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD17579Q5AT 数据手册

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CSD17579Q5A

ZHCSDF8 –MARCH 2015

CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

低 R_DS(on)

漏源电压

低热阻

Q_g

栅极电荷总量 (4.5V)

栅极电荷（栅极到漏极）

5.4

mΩ

雪崩额定值

Q_gd

1.2

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.5

11.6

8.4

无铅引脚镀层

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

符合 RoHS 环保标准

无卤素

小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

。

订购信息⁽¹⁾

数量

2 应用范围

器件

介质

封装

出货

卷带封装

CSD17579Q5A

CSD17579Q5AT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

2500

250

SON 5mm x

6mm

塑料封装

•

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压

转换器

•

针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

最大绝对额定值

T_A= 25°C

值

单位

这款 30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET™ 功

率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降

低功率损耗。

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

±20

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C

时测得

顶视图

I_D

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

105

3.1

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，运行结温和

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度范围

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 17A，L = 0.1mH

E_AS

14.5

P0093-01

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷

电路板 (PCB) 上的 1 英寸²2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型

值。

(2) 最大 R_θJC= 4.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS524

12 3 4 5 6 7...15

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CSD17579Q5AT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD17579Q5A	TI	类似代替	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET

与CSD17579Q5AT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD17581Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17581Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17581Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17581Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17585F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、3
CSD17585F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、3
CSD1833	CDIL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSD1833D	CDIL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSD1833E	CDIL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSD1833F	CDIL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

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