5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD17559Q5T
CSD17559Q5T PDF预览

CSD17559Q5T

更新时间： 2024-11-14 11:08:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 826K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQH | 8 | -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD17559Q5T 数据手册

 浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD17559Q5T的Datasheet PDF文件第7页 
CSD17559Q5  
www.ti.com  
SLPS374 –NOVEMBER 2012  
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD17559Q5  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
TA = 25°C unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Extremely Low Resistance  
Ultralow Qg and Qgd  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
39  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Qgd  
9.3  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.15  
0.95  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
1.4  
Halogen Free  
ORDERING INFORMATION  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
Device  
CSD17559Q5  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
APPLICATIONS  
•
Point-of-Load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom, and Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
•
•
Synchronous Rectification  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
Active ORing and Hotswap Applications  
±20  
V
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
257  
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in synchronous rectification and  
other power conversion applications.  
A
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(1)(2)  
Power Dissipation(1)  
40  
250  
3.2  
A
A
IDM  
PD  
TJ,  
Top View  
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
541  
°C  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 104A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 40°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
D
D
P0093-01  
SPACE  
RDS(on) vs VGS  
SPACE  
GATE CHARGE  
6
5
4
3
2
1
0
10  
TC = 25°C Id = 40A  
TC = 125ºC Id = 40A  
ID = 40A  
VDS =15V  
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
1234567...10

中文翻译

下载PDF

CSD17559Q5T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17559Q5 TI

类似代替

 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

与CSD17559Q5T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD17570Q5B TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET
CSD17570Q5BT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET
CSD17571Q2 TI

获取价格

 		30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD17573Q5B TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET
CSD17573Q5BT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET
CSD17575Q3 TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17575Q3T TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17576Q5B TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17576Q5BT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17577Q3A TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™

与CSD17559Q5T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证