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CSD17570Q5B

更新时间： 2024-11-14 11:12:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 903K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17570Q5B 数据手册

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CSD17570Q5B  
ZHCSC48D –FEBRUARY 2014–REVISED MAY 2017  
CSD17570Q5B 30V N 沟道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体  
管 (MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低电阻  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
30  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
雪崩级  
Qg  
栅极电荷总量 (4.5V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
93  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
无铅引脚镀层  
Qgd  
34  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.5  
0.74  
0.56  
符合 RoHS 标准  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
无卤素  
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装  
订购信息(1)  
2 应用  
器件  
数量  
2500 13 英寸卷带  
250 7 英寸卷带  
介质  
封装  
出货  
卷带封装  
•
ORing 和热插拔 应用  
CSD17570Q5B  
CSD17570Q5BT  
SON 5mm x 6mm  
塑料封装  
3 说明  
(1) 要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。  
这款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mmNexFET™功  
率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应  
用的 电阻， 不可用于开关 应用。  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
值
30  
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
顶部图标  
栅源电压  
±20  
100  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C  
时测得  
ID  
407  
A
持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1)  
脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2)  
功率耗散(1)  
53  
400  
3.2  
IDM  
PD  
A
W
TJ， 运行结温和  
-55 至 150  
°C  
Tstg  
储存温度范围  
D
D
雪崩能量，单脉冲  
ID = 90A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
450  
mJ  
P0093-01  
(1) RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷  
电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。  
.
.
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 2%  
.
RDS(on) 与 VGS 对比  
栅极电荷  
2
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
10  
TC = 25°C,I D = 50A  
TC = 125°C,I D = 50A  
ID = 50A  
VDS = 15V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160 180 200  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS471  
 
 
 
 
 
 
 
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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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