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FDMS8888

更新时间： 2024-09-25 12:23:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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7页 314K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET

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FDMS8888 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：54 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：13.5 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8888 数据手册

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July 2011  
FDMS8888  
NNNN  
N-Channel PowerTrench® MOSFETꢀ  
30 V, 21 A, 9.5 m:  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 9.5 m: at VGS = 10 V, ID = 13.5 A  
„ Max rDS(on) = 14.5 m: at VGS = 4.5 V, ID = 10.9 A  
has been designed to minimize losses in  
power  
and  
FDMS8888  
conversion application. Advancements in both silicon  
The  
package technologies have been combined to offer the lowest  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance.  
„ Advanced Package and Silicon combination  
for low rDS(on) and high efficiency  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server  
„ Notebook Battery Pack  
„ Load Switch  
Top  
Bottom  
Pin 1  
4
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
S
S
S
3
2
1
G
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
21  
51  
ID  
A
(Note 1a)  
13.5  
80  
-Pulsed  
EAS  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
54  
42  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
W
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RTJC  
RTJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.3  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS8888  
Power 56  
3000 units  
8888  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8888 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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FDMS8888 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17551Q5A TI

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CSD17327Q5A TI

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CSD17507Q5A TI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS8D8N15C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，150V，85A，8.8mΩ，Power56 封装中
FDMS9408-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.8mΩ
FDMS9408L-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.7mΩ
FDMS9409-F085 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40 V、65 A、3.2 mΩ
FDMS9409L ONSEMI

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 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMS9409L_F085 ONSEMI

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 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMS9409L-F085 ONSEMI

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 		N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 40V
FDMS9410-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，50A，4.4mΩ
FDMS9410L-F085 ONSEMI

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 		40 V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET
FDMS9411-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，30A，6.3mΩ

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