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FDMS8680

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 216K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 35A, 7.0mヘ

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FDMS8680 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, MO-240AA, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：63 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8680 数据手册

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July 2007  
FDMS8680  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30V, 35A, 7.0mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 10V, ID = 14A  
„ Max rDS(on) = 11.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 11.5A  
The FDMS8680 has been designed to minimize losses in power  
conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance.  
„ Advanced Package and Silicon combination for  
low rDS(on) and high efficiency  
Applications  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
„ High Side for Synchronous Buck to Power Core Processor  
„ Secondary Side Synchronous Rectifier  
„ High Side Switch in POL DC/DC Converter  
„ Oring FET/ Load Switch  
Pin 1  
S
S
S
G
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
Power 56 (Bottom view)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
35  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
63  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
14  
-Pulsed  
100  
216  
50  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.5  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDMS8680  
FDMS8680  
Power 56  
13"  
3000units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8680 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
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