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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSB053N03LPG
BSB053N03LPG PDF预览

BSB053N03LPG

更新时间： 2024-09-25 06:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 284K
描述
OptiMOS2 Power-MOSFET

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BSB053N03LPG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：71 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.0053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-MBCC-N3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：284 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSB053N03LPG 数据手册

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BSB053N03LP G  
OptiMOSTM2 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
5.3  
71  
V
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Dual sided cooling  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Low profile (<0.7 mm)  
• 100% avalanche tested  
• Qualified for consumer level application  
MG-WDSON-2  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Optimized for high switching frequency DC/DC converter  
• Low parasitic inductance  
• Compatible with DirectFET® package MP footprint and outline 1)  
Type  
Package  
Outline  
Marking  
BSB053N03LP G  
MG-WDSON-2  
MP  
3003  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
71  
45  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
17  
thJA=55 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
284  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
I D=44 A, R GS=25 Ω  
75  
mJ  
V
V GS  
±20  
1) CanPAKTM uses DirectFET ® technology licensed from International Rectifier Corporation. DirectFET® is a registered  
trademark of International Rectifier Corporation.  
Rev. 2.0  
page 1  
2009-05-11  
1234567...11

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BSB053N03LPG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ0904NSIATMA1 INFINEON

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 		Material Content Data Sheet

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