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BSB165N15NZ3 G

更新时间: 2024-09-26 11:15:07
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 1649K
描述
与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。

BSB165N15NZ3 G 数据手册

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n-Channel Power MOSFET  
OptiMOS™  
BSB165N15NZ3 G  
Data Sheet  
2.2, 2011-07-20  
Final  
Industrial & Multimarket  

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