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BSC010NE2LS

更新时间: 2024-09-25 09:00:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
12页 1534K
描述
n-Channel Power MOSFET

BSC010NE2LS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:0.84
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:297906Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:PG-TDSON-8Samacsys Released Date:2019-02-07 08:59:40
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):190 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.0013 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):96 W最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC010NE2LS 数据手册

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n-Channel Power MOSFET  
OptiMOS™  
BSC010NE2LS  
Data Sheet  
2.0, 2011-03-01  
Final  
Industrial & Multimarket  

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