型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC016N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-MOSFET | |
BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC016N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET | |
BSC016N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSC016N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSC016N04LSG_11 | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSC016N06NS | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V | |
BSC016N06NSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC016N06NSSC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC | |
BSC016N06NST | INFINEON |
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采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 |