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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC019N04LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC019N04LST | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSC019N04NS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC019N04NSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor |
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| BSC019N06NS | INFINEON |
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采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 |
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| BSC020N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC020N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC020N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOSâ¢2 Power-Transistor |
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| BSC020N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC020N03LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET |
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意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
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