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BSC019N04LS PDF预览

BSC019N04LS

更新时间： 2024-11-13 19:43:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 566K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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BSC019N04LS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.0027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC019N04LS 数据手册

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BSC019N04LS  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
40  
1.9  
100  
37  
V
• Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• 100% avalanche tested  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
QOSS  
nC  
nC  
• Superior thermal resistance  
QG(0V..10V)  
41  
• N-channel  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TDSON-8  
Type  
Marking  
Package  
BSC019N04LS  
PG-TDSON-8  
019N04LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
100  
98  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
100  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
82  
27  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
90  
Avalanche energy, single pulse4)  
Gate source voltage  
I D=50 A, R GS=25 W  
mJ  
V
V GS  
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.0  
page 1  
2013-10-02  
1234567...11

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