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BSC016N06NSATMA1

更新时间： 2024-11-13 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 547K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8FL, 8 PIN

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BSC016N06NSATMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8FL, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.63
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：380 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC016N06NSATMA1 数据手册

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BSC016N06NS  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Features  
Product Summary  
VDS  
60  
V
• Optimized for synchronous rectification  
• 100% avalanche tested  
• Superior thermal resistance  
• N-channel  
RDS(on),max  
ID  
1.6  
100  
81  
mW  
A
QOSS  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
71  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TDSON-8 FL  
enlarged source interconnection  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
• Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection  
Type  
Package  
Marking  
BSC016N06NS  
PG-TDSON-8 FL  
016N06NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
100  
100  
A
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
30  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
380  
±20  
Avalanche energy, single pulse4)  
Gate source voltage  
I D=50 A, R GS=25 W  
mJ  
V
V GS  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.1  
page 1  
2013-01-29  
1234567...10

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