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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks 1 day | 风险等级： | 1.5 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 380 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC017N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSC017N04NSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 400A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC017N04NSGXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSC018N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC018N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC018NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSC018NE2LSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC018NE2LSI | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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