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BSC018NE2LSATMA1

更新时间： 2024-11-13 20:09:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 759K
描述
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC018NE2LSATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.64
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.0023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC018NE2LSATMA1 数据手册

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BSC018NE2LS  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
25  
V
• Optimized for high performance Buck converter  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• 100% avalanche tested  
RDS(on),max  
ID  
1.8  
100  
21  
mW  
A
QOSS  
nC  
nC  
• Superior thermal resistance  
QG(0V..10V)  
39  
• N-channel  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TDSON-8  
Type  
Package  
Marking  
BSC018NE2LS  
PG-TDSON-8  
018NE2LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
100  
97  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
100  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
86  
29  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 W  
80  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.2  
page 1  
2013-02-12  
1234567...10

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与BSC018NE2LSATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC018NE2LSI INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC018NE2LSIATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC019N02KSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC019N04LS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC019N04LST INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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