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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 29 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC018NE2LSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC018NE2LSI | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC019N02KSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC019N04LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC019N04LST | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSC019N04NS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC019N04NSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor |
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| BSC019N06NS | INFINEON |
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采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 |
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| BSC020N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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