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BSC019N06NS

更新时间： 2024-11-14 11:14:59

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	1319K
描述
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术，封装的工作温度也随之改善。新型组合提高了功率密度以及坚固性。

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BSC019N06NS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSC019N06NS 数据手册

BSC019N06NS

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV

TDSON-8ꢀFLꢀ(enlargedꢀsourceꢀinterconnection)

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀHigherꢀsolderꢀjointꢀreliabilityꢀdueꢀtoꢀenlargedꢀsourceꢀinterconnection

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

6 D

5 D

V_DS

R_DS(on),max

I_D

1.95

192

mΩ

Q_OSS

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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BSC019N06NS

PG-TDSON-8 FL

019N06NS

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-10-23

12 3 4 5 6 7...13

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