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BSC019N04LST

更新时间： 2024-11-13 19:50:59

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	1410K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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BSC019N04LST 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSC019N04LST 数据手册

BSC019N04LST

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-MOSFET,ꢀ40ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

ProductꢀValidation:

Qualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀrelevantꢀtestsꢀof

JEDEC47/20/22

S 1

8 D

7 D

S 2

S 3

G 4

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

6 D

5 D

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

1.9

100

mΩ

Q_OSS

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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BSC019N04LST

PG-TDSON-8

019N04LT

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2018-03-08

12 3 4 5 6 7...13

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