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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC016N03MSG
BSC016N03MSG PDF预览

BSC016N03MSG

更新时间： 2024-11-13 09:00:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 293K
描述
OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET

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BSC016N03MSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.002 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC016N03MSG 数据手册

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BSC016N03MS G  
Product Summary  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
V DS  
30  
1.6  
2
V
Features  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
mΩ  
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
• 100% avalanche tested  
I D  
100  
A
• N-channel  
PG-TDSON-8  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Superior thermal resistance  
• Pb-free plating; RoHS compliant;  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC016N03MS G  
PG-TDSON-8  
016N03MS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
100  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
100  
100  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=4.5 V, T A=25 °C,  
28  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
340  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.17  
page 1  
2009-10-22  
1234567...10

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与BSC016N03MSG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC016N03MSGATMA1 INFINEON

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 		OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC016N04LSG_11 INFINEON

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