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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.62 | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC014NE2LSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSC015NE2LS5I | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC015NE2LS5I_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC016N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-MOSFET |
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| BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC016N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC016N03MSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSC016N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSC016N04LSG_11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC016N06NS | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
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