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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.63 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 580 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00145 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC014N06NSSC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| BSC014N06NST | INFINEON |
获取价格 |
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 |
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| BSC014N06NSTATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| BSC014NE2LSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSC014NE2LSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSC015NE2LS5I | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC015NE2LS5I_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC016N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-MOSFET |
|
| BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC016N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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