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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 1.62 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 139 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC010N04LSATMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSB014N04LX3GXUMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC010NE2LS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSC010NE2LSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC010NE2LSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSC010NE2LSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC011N03LS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSC011N03LSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC011N03LSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC012N06NS | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's?OptiMOS? MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS? 3 and 5 product portfolio |
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| BSC014N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
|
| BSC014N03LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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