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BSB104N08NP3 G

更新时间： 2024-11-14 11:10:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信服务器
页数	文件大小	规格书
13页	1431K
描述
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源（例如服务器和通信）以及功耗（例如电动车）领域。

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BSB104N08NP3 G 数据手册

BSB104N08NP3ꢀG

MOSFET

MG-WDSON-2-6

OptiMOSª3ꢀPower-MOSFET,ꢀ80ꢀV

Features

•ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀDC/DCꢀconverters

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀLowꢀprofileꢀ(<0.7mm)

•ꢀDualꢀsidedꢀcooling

•ꢀLowꢀparasiticꢀinductance

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

Gate

Source

R_DS(on),max

I_D

10.4

mΩ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSB104N08NP3 G

MG-WDSON-2

0308

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2018-11-15

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSB104N08NP3GXUSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 80V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSB1270002	ETC	获取价格	OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
BSB1270003	ETC	获取价格	OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
BSB150N15NZ3	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSB165N15NZ3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
BSB165N15NZ3G	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
BSB165N15NZ3G_15	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
BSB165N15NZ3GXUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSB280N15NZ3G	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSBE2	ALPS	获取价格	DVB-S2 Digital BS Tuner Unit with Internal Demodulator