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BSZ100N06LS3GATMA1

更新时间： 2024-10-02 15:45:15
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 468K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ100N06LS3GATMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.64
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：55 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0179 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ100N06LS3GATMA1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ100N06LS3GXT INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ100N06NS INFINEON

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 		OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如
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 		OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
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 		OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
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 		OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ110N08NS5 INFINEON

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 		OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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