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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ100N06LS3GXT
BSZ100N06LS3GXT PDF预览

BSZ100N06LS3GXT

更新时间： 2024-11-20 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 252K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ100N06LS3GXT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0179 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ100N06LS3GXT 数据手册

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BSZ100N06LS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
10  
20  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
BSZ100N06LS3 G  
Package  
Marking  
PG-TSDSON-8  
100N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
20  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C2)  
GS=10 V, T C=100 °C  
I D  
Continuous drain current  
A
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
20  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
20  
11  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
thJA=60 K/W3)  
Pulsed drain current4)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
80  
55  
Avalanche energy, single pulse5)  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
2) Current is limited by bondwire; with anR thJC=2.5 K/W the chip is able to carry 55 A.  
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
4) See figure 3 for more detailed information  
5) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.3  
page 1  
2009-11-11  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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