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BSZ100N03LSG

更新时间: 2024-10-02 06:44:27
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9页 335K
描述
OptiMOS™3 Power-MOSFET

BSZ100N03LSG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.66
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):15 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.015 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-N5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSZ100N03LSG 数据手册

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BSZ100N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
10  
40  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TSDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ100N03LS G  
PG-TSDSON-8  
100N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
28  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
36  
23  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
12  
thJA=60 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse4)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
15  
mJ  
I D=40 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-03-19  

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