5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ100N06LS3G
BSZ100N06LS3G PDF预览

BSZ100N06LS3G

更新时间： 2024-11-05 12:20:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 252K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSZ100N06LS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0179 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ100N06LS3G 数据手册

 浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ100N06LS3G的Datasheet PDF文件第7页 
BSZ100N06LS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
10  
20  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
BSZ100N06LS3 G  
Package  
Marking  
PG-TSDSON-8  
100N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
20  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C2)  
GS=10 V, T C=100 °C  
I D  
Continuous drain current  
A
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
20  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
20  
11  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
thJA=60 K/W3)  
Pulsed drain current4)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
80  
55  
Avalanche energy, single pulse5)  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
2) Current is limited by bondwire; with anR thJC=2.5 K/W the chip is able to carry 55 A.  
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
4) See figure 3 for more detailed information  
5) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.3  
page 1  
2009-11-11  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSZ100N06LS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ100N06LS3GXT INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ100N06NS INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如
BSZ105N04NS G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSZ105N04NSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ110N06NS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSZ110N06NS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ110N08NS5 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi

与BSZ100N06LS3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证