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BSZ096N10LS5

更新时间： 2024-11-25 11:15:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
页数	文件大小	规格书
11页	974K
描述
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。

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BSZ096N10LS5 数据手册

BSZ096N10LS5

MOSFET

OptiMOS^TM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

TSDSON-8ꢀFLꢀ(S3O8)

Features

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitching

•ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀDC/DCꢀconverters

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀN-channel,ꢀLogicꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Parameter

Value

100

9.6

Unit

V_DS

6 D

5 D

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Q_OSS

Q_G(0V...4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ096N10LS5

096N10L

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22

12 3 4 5 6 7...11

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