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| 英飞凌 - INFINEON |  |
开关脉冲光电二极管晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 1774K |  |
| 描述 | ||
| Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter. | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.69 |
| Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 雪崩能效等级（Eas）： | 82 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0097 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0994NS | INFINEON |
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凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 |
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| BSZ099N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ100N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSZ100N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ100N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSZ100N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSZ100N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSZ100N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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