Datasheet > BSZ099N06LS5

BSZ099N06LS5

更新时间： 2024-10-03 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
页数	文件大小	规格书
11页	963K
描述
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSZ099N06LS5 数据手册

BSZ099N06LS5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV

TSDSON-8ꢀFLꢀ(S3O8)

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

9.9

mΩ

6 D

5 D

Q_OSS

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ099N06LS5

099N06L

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.4,ꢀꢀ2020-10-23

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与BSZ099N06LS5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ100N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSZ100N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ100N03MS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSZ100N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
BSZ100N06LS3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSZ100N06LS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ100N06LS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ100N06LS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ100N06NS	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如
BSZ105N04NS G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和