5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSZ097N04LSGXT
BSZ097N04LSGXT PDF预览

BSZ097N04LSGXT

更新时间： 2024-11-05 21:18:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 635K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSZ097N04LSGXT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.0142 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ097N04LSGXT 数据手册

 浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ097N04LSGXT的Datasheet PDF文件第7页 
ꢀ % *ꢁ ꢂ ꢃ ! ꢁ ꢄ ꢅ % ꢆ  
"%&$!"#Eꢇ # ;B 1=ꢈ& =-: >5>?;=  
# =;0@/? % @9 9 -=D  
6MI[\YMZ  
)
,(  
1&/  
,(  
K
9I  
Q   2 CD CG:D49:? 8 ' ) -  ꢀ . 7@B -' *-  
Q ) AD:>:J65 D649? @=@8I 7@B ꢁ ꢂ ꢃꢁ ꢂ 4@? F6BD6BC  
Q + E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 D@ $ ꢀ ꢁ ꢀ ꢂ )# 7@B D2 B86D 2 AA=:42 D:@? C  
'
Z"  
6
9I"\[#$ZNd  
$
9
F=%JI9IED%0  
Q ( ꢄ492 ? ? 6=ꢅ & @8:4 =6F6=  
Q ꢀ H46==6? D 82 D6 492 B86 H ' 9I"\[# AB@5E4D ꢆ  ) ' ꢇ  
Q /6BI =@G @? ꢄB6C:CD2 ? 46 ' 9I"\[#  
Q -EA6B:@B D96B>2 = B6C:CD2 ? 46  
Q ꢈ ꢉ ꢉ ꢊ ꢋ F2 =2 ? 496 D6CD65  
Q *3 ꢄ7B66 A=2 D:? 8ꢅ , @" - 4@>A=:2 ? D  
Q " 2 =@86? ꢄ7B66 2 44@B5:? 8 D@ #ꢀ ꢂ ꢌ ꢈ ꢍ ꢎ ꢏ ꢄꢍ ꢄꢍ ꢈ  
B`XM  
?IKSIOM  
<IYSQVO  
ꢔ -1ꢉ ꢏ ꢕ ( ꢉ ꢎ & - !  
F=%JI9IED%0  
(1/D(,B  
  -C59 @9 =-?5: 3>ꢉ 2 D ( Wꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ ꢒ E? =6CC @D96BG:C6 CA64:7:65  
DIT\M  
?IYIUM[MY  
A`UJWT 3WVLQ[QWVZ  
CVQ[  
$
)
)
=Iꢐ ꢈ ꢉ /ꢒ ( 8ꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ  
ꢂ @? D:? E@EC 5B2 :? 4EBB6? D  
,(  
+(  
6
9
=Iꢐ ꢈ ꢉ /ꢒ ( 8ꢐ ꢈ ꢉ ꢉ Tꢂ  
)
)
=Iꢐ ꢎ ꢓꢑ /ꢒ ( 8ꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ  
,(  
*-  
=Iꢐ ꢎ ꢓꢑ /ꢒ  
( 8ꢐ ꢈ ꢉ ꢉ Tꢂ  
)
'
=Iꢐ ꢈ ꢉ /ꢒ ( 6ꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ ꢒ  
`U@6ꢐ ꢌ ꢉ % ꢃ0 *#  
)*  
*E=C65 5B2 :? 4EBB6? D+#  
$
$
( 8ꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ  
).(  
*(  
9$]aY_R  
6I  
ꢋ F2 =2 ? 496 4EBB6? Dꢒ C:? 8=6 AE=C6,#  
ꢋ F2 =2 ? 496 6? 6B8Iꢒ C:? 8=6 AE=C6  
!2 D6 C@EB46 F@=D2 86  
( 8ꢐ ꢍ ꢑ Tꢂ  
#
)
$ 9ꢐ ꢍ ꢉ ꢋ ꢒ ' =Iꢐ ꢍ ꢑ "  
*(  
Z@  
K
6I  
=I  
q*(  
)# $ ꢄ-.ꢁ ꢍ ꢉ 2 ? 5 $ ꢀ -ꢁ ꢍ ꢍ  
, 6Fꢓ ꢍ ꢓꢉ  
A2 86 ꢈ  
ꢍ ꢉ ꢈ ꢉ ꢄꢉ ꢖ ꢄꢈ ꢗ  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSZ097N04LSGXT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ097N10NS5 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET
BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ0994NS INFINEON

获取价格

 		凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度
BSZ099N06LS5 INFINEON

获取价格

 		英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应
BSZ100N03LSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ100N03MS G INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSZ100N03MSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
BSZ100N06LS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSZ100N06LS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor

与BSZ097N04LSGXT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证