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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ096N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ097N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSZ097N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ097N04LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ097N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET |
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| BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0994NS | INFINEON |
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凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 |
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| BSZ099N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ100N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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