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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TSDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 9 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 34 V | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ0909NSXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSZ096N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ097N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSZ097N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ097N04LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ097N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET |
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| BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0994NS | INFINEON |
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凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 |
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| BSZ099N06LS5 | INFINEON |
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