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NTMFS4C020NT1G

更新时间： 2024-11-21 01:15:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 82K
描述
Power MOSFET

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NTMFS4C020NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：2.07雪崩能效等级（Eas）：862 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：370 A
最大漏极电流 (ID)：370 A最大漏源导通电阻：0.00095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：350 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：161 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：900 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMFS4C020NT1G 数据手册

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NTMFS4C020N  
Power MOSFET  
30 V, 0.9 mW, 303 A, Single N−Channel,  
SO−8FL  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
www.onsemi.com  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
V
R
MAX  
I MAX  
D
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
(BR)DSS  
DS(ON)  
Compliant  
0.7 mW @ 10 V  
1.0 mW @ 4.5 V  
30 V  
303 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
DSS  
D (5)  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain Cur-  
V
"20  
303  
V
GS  
T
T
= 25°C  
= 25°C  
I
A
C
D
rent R  
(Notes 1, 3)  
q
JC  
Steady  
State  
G (4)  
Power Dissipation R  
(Notes 1, 3)  
P
134  
47  
W
A
q
C
D
JC  
Continuous Drain Cur-  
rent R (Notes 1, 2, 3)  
T = 25°C  
A
I
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
D
q
JA  
Steady  
State  
Power Dissipation R  
(Notes 1, 2, 3)  
T = 25°C  
A
P
3.2  
W
q
D
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
900  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
D
S
S
S
G
D
D
1
Source Current (Body Diode)  
I
110  
862  
A
S
4C020N  
AYWZZ  
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (I  
= 35 A)  
L(pk)  
D
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
W
ZZ  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Junction−to−Case − Steady State  
R
0.93  
39  
°C/W  
q
q
JC  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
NTMFS4C020NT1G  
SO−8FL  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
2
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
NTMFS4C020NT3G  
SO−8FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
June, 2016 − Rev. 0  
NTMFS4C020N/D  
 
123456

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