NTE324

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose

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NTE324 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

NTE324 数据手册

NTE323 (PNP) & NTE324 (NPN)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose

Description:

The NTE323 (PNP) and NTE324 (NPN) are complementary silicon epitaxial planer transistors in a

TO39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier

and switching circuits.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage (I_E= 0), V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage (I_C= 0), V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation, P_tot

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17.4°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

= 120V, I = 0

–

µA

CBO

CEO

= 80V, I = 0

= 120V, V = –1.5V

–

CEV

= 120V, V = –1.5V, T = +150°C

–

Emitter Cutoff Current

= 4V, I = 0

–

EBO

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

I = 10mA, I = 0, Note 1

120

–

CEO(sus)

I = 250mA, I = 25mA, Note 1

0.6

1.0

2.0

CE(sat)

I = 500mA, I = 50mA, Note 1

–

I = 1A, I = 200mA, Note 1

–

Note 1. Pulse Duration = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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NTE324 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5681	MICROSEMI	类似代替	NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
JANTXV2N5681	MICROSEMI	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD

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