5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NTE335
NTE335 PDF预览

NTE335

更新时间： 2024-11-01 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE335 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：250 W最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE335 数据手册

 浏览型号NTE335的Datasheet PDF文件第2页 
NTE335 & NTE336  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
Description:  
The NTE335 and NTE336 are silicon NPN RF power transistors designed for power amplifier applications  
in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:  
Output Power = 80W  
Minimum Gain = 12dB  
Efficiency  
= 50%  
D Available in Two Different Package Designs:  
NTE335 (W52N, Flange Mount)  
NTE336 (T93D, Stud Mount)  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43W/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0  
18  
36  
4
−
−
−
−
−
−
V
V
V
V(BR)CES IC = 50mA, VBE = 0  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
V(BR)EBO IE = 10mA, IC = 0  
12

中文翻译

下载PDF

NTE335 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MRF455 MACOM

功能相似

 Bipolar
NTE325 NTE

功能相似

 Silicon NPN RF Power Transistor 50W @ 30MHz

与NTE335相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE336 NTE

获取价格

 		Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier
NTE337 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE338 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE338F NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE339 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE340 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output, High Frequency
NTE341 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE342 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)
NTE343 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)
NTE344 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz

与NTE335相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证