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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE338F
NTE338F PDF预览

NTE338F

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE338F 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：4 A基于收集器的最大容量：200 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10最高频带：HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRFM-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：80 W
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE338F 数据手册

 浏览型号NTE338F的Datasheet PDF文件第2页 
NTE338F  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amp, Driver  
Description:  
The NTE338F is a silicon NPN transistor in a W52K type package designed primarily for use as a  
power linear amplifier from 2 to 30MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:  
Output Power = 20W (PEP)  
Minimum Gain = 12dB  
Efficiency = 45%  
D Intermodulation Distortion @ 20W (PEP):  
IMD = –30dB Min  
D 100% Tested for Load Mismatched at all Phase Angle with 30:1 VSWR  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Withstand Current (t = 5s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.46W/°C  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 50mA, I = 0  
20  
40  
40  
4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 50mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 50mA, I = 0  
V
C
E
I = 1mA, I = 0  
V
E
C
I
V
CE  
= 12.5V, V = 0  
–
mA  
CES  
BE  
12

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