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NTE338F

更新时间: 2024-11-19 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

NTE338F 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.68Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):4 A基于收集器的最大容量:200 pF
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:80 W
最大功率耗散 (Abs):80 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NTE338F 数据手册

 浏览型号NTE338F的Datasheet PDF文件第2页 
NTE338F  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amp, Driver  
Description:  
The NTE338F is a silicon NPN transistor in a W52K type package designed primarily for use as a  
power linear amplifier from 2 to 30MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:  
Output Power = 20W (PEP)  
Minimum Gain = 12dB  
Efficiency = 45%  
D Intermodulation Distortion @ 20W (PEP):  
IMD = –30dB Min  
D 100% Tested for Load Mismatched at all Phase Angle with 30:1 VSWR  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Withstand Current (t = 5s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.46W/°C  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 50mA, I = 0  
20  
40  
40  
4
5
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 50mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 50mA, I = 0  
V
C
E
I = 1mA, I = 0  
V
E
C
I
V
CE  
= 12.5V, V = 0  
mA  
CES  
BE  

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