5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NTE328
NTE328 PDF预览

NTE328

更新时间： 2024-11-19 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE328 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.14
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：12
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：140 W最大功率耗散 (Abs)：140 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

NTE328 数据手册

 浏览型号NTE328的Datasheet PDF文件第2页 
NTE328  
Silicon NPN Transistor  
Power Amp, Switch  
Description:  
The NTE328 i a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial power  
amplifier and switching circuit applications.  
Features:  
D High Collector–Emitter Sustaining Voltage  
D High DC Current Gain  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
D Fast Switching Times  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 50mA, I = 0, Note 1  
120  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 120V, V  
= 120V, V  
= 1.5V  
10  
mA  
CEX  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
BE(off)  
BE(off)  
V
V
V
V
= 1.5V, T = +150°C  
–
1.0 mA  
C
I
= 60V, I = 0  
–
50  
10  
µA  
µA  
CEO  
B
I
= 180V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 6V, I = 0  
–
100 µA  
EBO  
C
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

中文翻译

下载PDF

NTE328 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE2348 NTE

功能相似

 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
NTE2333 NTE

功能相似

 Silicon NPN Power Transistor for Switching Power Applications

与NTE328相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE329 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Amp, CB
NTE330 NTE

获取价格

 		Germanium PNP Transistor High Power Switch
NTE3300 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3301 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3302 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3303 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE331 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch
NTE3310 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3311 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3312 NTE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

与NTE328相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证