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NTE328 PDF预览

NTE328

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch

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NTE328 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.14
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：12
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：140 W最大功率耗散 (Abs)：140 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

NTE328 数据手册

 浏览型号NTE328的Datasheet PDF文件第2页 
NTE328  
Silicon NPN Transistor  
Power Amp, Switch  
Description:  
The NTE328 i a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial power  
amplifier and switching circuit applications.  
Features:  
D High Collector–Emitter Sustaining Voltage  
D High DC Current Gain  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
D Fast Switching Times  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 50mA, I = 0, Note 1  
120  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 120V, V  
= 120V, V  
= 1.5V  
10  
mA  
CEX  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
BE(off)  
BE(off)  
V
V
V
V
= 1.5V, T = +150°C  
–
1.0 mA  
C
I
= 60V, I = 0  
–
50  
10  
µA  
µA  
CEO  
B
I
= 180V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 6V, I = 0  
–
100 µA  
EBO  
C
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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