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NTE337

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体驱动器放大器晶体管射频功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE337 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.02
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	90 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE337 数据手册

NTE337

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp, Driver

Description:

The NTE337 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in large–

signal amplifier driver and pre–driver stages. This device is intended for use in industrial communica-

tions equipment operating at frequencies to 80MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 50MHz Characteristics:

Output Power = 8W

Minimum Gain = 10dB

Efficiency = 50%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 200mA, I = 0, Note 1

–

(BR)CEO

I = 50mA, V = 0, Note 1

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 5mA, I = 0

–

(BR)EBO

= 15V, V = 0, T = +125°C

–

CES

= 15V, I = 0

–

CBO

ON Characteristics

DC Current Gain

I = 500mA, V = 5V

–

Note 1. Pulsed through a 25mH inductor.

Electrical Characteristics (Cont’d): (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Dynamic Characteristics

Output Capacitance

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

= 15V, I = 0, f = 0.1 to 1MHz

–

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