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NTE3300

更新时间： 2024-11-01 22:30:15
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE3300 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.12外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：8500 ns标称接通时间 (ton)：250 ns
Base Number Matches：1

NTE3300 数据手册

 浏览型号NTE3300的Datasheet PDF文件第2页 
NTE3300  
Insulated Gate Bipolar Transistor  
N–Channel Enhancement Mode,  
High Speed Switch  
Features:  
D High Input Impedance  
D Low Saturation Voltage  
D Enhancement Mode  
D 20V Gate Drive  
Applications:  
D High Power Switching  
D Motor Control  
Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±25V  
Collector Current, IC  
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130A  
Collector Power Dissipation, PC  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.16°C/W  
Screw Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6N•m  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Gate Leakage Current  
Collector Cutoff Current  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Gate–Emitter Cutoff Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Input Capacitance  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
I
V
V
= ±25V, V = 0  
–
–
±100  
1.0  
–
nA  
µA  
V
GES  
GE  
CE  
I
= 400V, V = 0  
–
CES  
CE  
GE  
V
I = 2mA, V = 0  
400  
4.0  
–
–
(BR)CES  
C
GE  
V
GE(off)  
I = 1mA, V = 5V  
5.0  
5.0  
1350  
0.1  
7.0  
8.0  
–
V
C
CE  
V
I = 130A, V = 20V (Pulsed)  
V
CE(sat)  
C
GE  
C
ies  
V
= 10V, V = 0, f = 1MHz  
–
pF  
µs  
µs  
µs  
µs  
CE  
CC  
GE  
Rise Time  
t
r
–
0.5  
V
= 300V  
Turn–On Time  
t
on  
–
0.15 0.50  
Fall Time  
t
f
–
4.0  
4.5  
6.0  
7.0  
Turn–Off Time  
t
off  
–
12

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