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JANTXV2N5681

更新时间： 2024-11-02 20:26:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

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JANTXV2N5681 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/583
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5681 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 583

Devices

Qualified Level

JAN

2N5681

2N5682

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS (T_{A =}25°C unless otherwise noted)

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N5681

100

2N5682 Units

120

4.0

1.0

0.5

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

100

4.0

1.0

0.5

I_B

1.0

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200 -65 to +200

°C

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

TO-39*

(TO-205AD)

Symbol

Max.

17.5

Unit

⁰C

qJC

1) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 57 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

100

120

V(BR)CEO

I_EBO

Vdc

mAdc

I_C= 10 mAdc

2N5681

2N5682

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

1.0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 70 Vdc

V_CE= 80 Vdc

2N5681

2N5682

I_CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 100 Vdc

V_CE= 120 Vdc

Collector-Baser Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

100

nAdc

I_CEX

2N5681

2N5682

2N5681

2N5682

I_CBO

V_CE= 120 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTXV2N5681 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5681	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
NTE324	NTE	功能相似	Silicon Complementary Transistors General Purpose

与JANTXV2N5681相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5682	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD
JANTXV2N5683	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5684	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5685	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5686	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5745	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JANTXV2N5793	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTXV2N5794	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTXV2N5794	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTXV2N5794U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,

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