NTE325

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN RF Power Transistor 50W @ 30MHz

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NTE325 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	T72H, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.68
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	7.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	115 W	最大功率耗散 (Abs)：	115 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE325 数据手册

NTE325

Silicon NPN RF Power Transistor

50W @ 30MHz

Description:

The NTE325 is a silicon NPN RF power transistor in a T72H type package designed for power amplifier

applications in industrial, commercial, and amateur radio equipment to 30MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:

Output Power = 50W

Minimum Gain = 11dB

Efficiency = 50%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.66W/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Case, R_Θ_JC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.53°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 100mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 20mA, V = 0

C BE

(BR)CES

I = 20mA, I = 0

(BR)CBO C E

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

ON Characteristics

I = 10mA, I = 0

E C

(BR)EBO

DC Current Gain

I = 1A, V = 5V

–

Dynamic Characteristics

Output Capacitance

= 15V, I = 0, f = 1MHz

200

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