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NTE330

更新时间： 2024-11-01 22:30:15
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Germanium PNP Transistor High Power Switch

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NTE330 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.7
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：12JEDEC-95代码：TO-36
JESD-30 代码：O-MBPM-D2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：170 W
最大功率耗散 (Abs)：170 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：GERMANIUM
Base Number Matches：1

NTE330 数据手册

 浏览型号NTE330的Datasheet PDF文件第2页 
NTE330  
Germanium PNP Transistor  
High Power Switch  
Description:  
The NTE330 is a germanium PNP power transistor in a TO36 type package featuring low saturation  
voltage capability for high efficiency performance in motor drive controls and low loss regulators.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87.5W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +95°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +95°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Floating Potential  
V
I = 1A, I = 0  
40  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
(BR)CEO  
C
B
V
EBF  
V
= 50V, I = 0  
1.0  
300  
4.0  
15  
V
CB  
CB  
CB  
CB  
BE  
E
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
= 2V, I = 0  
–
µA  
mA  
mA  
mA  
CBO  
E
= 50V, I = 0  
–
E
= 50V, I = 0, T = +85°C  
–
E
B
Emitter Cutoff Current  
ON Characteristics  
DC Current Gain  
I
= 30V, I = 0  
–
8.0  
EBO  
C
h
FE  
V
V
= 4V, I = 15A  
15  
12  
–
–
–
–
–
60  
–
CE  
C
= 4V, I = 25A  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Small–Signal Characteristics  
Common–Emitter Cutoff Frequency  
V
V
I = 25A, I = 4A  
0.7  
1.5  
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 25A, I = 3A  
–
BE(sat)  
C
B
h
hfe  
V
CE  
= 6V, I = 5A  
–
4.0  
–
kHz  
C
12

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