NTE336

更新时间： 2024-11-01 21:55:23

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	60K
描述
Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier

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NTE336 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE336 数据手册

NTE335 & NTE336

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE335 and NTE336 are silicon NPN RF power transistors designed for power amplifier applications

in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:

Output Power = 80W

Minimum Gain = 12dB

Efficiency

= 50%

D Available in Two Different Package Designs:

NTE335 (W52N, Flange Mount)

NTE336 (T93D, Stud Mount)

Absolute Maximum Ratings:

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43W/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

Collector−Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 100mA, I_B= 0

−

V_(BR)CESI_C= 50mA, V_BE= 0

Emitter−Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 10mA, I_C= 0

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