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NTE3322 PDF预览

NTE3322

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE3322 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.11Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：900 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：400 ns门极-发射极最大电压：25 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：600 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：750 ns
标称接通时间 (ton)：550 nsBase Number Matches：1

NTE3322 数据手册

 浏览型号NTE3322的Datasheet PDF文件第2页 
NTE3322  
Insulated Gate Bipolar Transistor  
N–Channel Enhancement Mode,  
High Speed Switch  
Features:  
D High Input Impedance  
D High Speed  
D Low Saturation Voltage  
D Enhancement Mode  
Applications:  
D High Power Switching  
Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V  
Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±25V  
Collector Current, IC  
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A  
Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.625°C/W  
Screw Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8Nm  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
Gate Leakage Current  
I
V
V
= ±25V, V = 0  
–
–
±500  
1.0  
–
nA  
mA  
V
GES  
GE  
CE  
Collector Cutoff Current  
I
= 900V, V = 0  
–
CES  
CE  
GE  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Gate–Emitter Cutoff Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 2mA, V = 0  
900  
3.0  
–
–
(BR)CES  
C
GE  
V
I = 60mA, V = 5V  
–
6.0  
2.4  
3.7  
–
V
GE(off)  
CE(sat)  
C
CE  
V
I = 10A, V = 15V  
–
V
C
GE  
I = 60A, V = 15V  
–
2.4  
5300  
V
C
GE  
Input Capacitance  
Rise Time  
C
ies  
V
= 10V, V = 0, f = 1MHz  
–
pF  
µs  
µs  
µs  
µs  
CE  
CC  
GE  
t
r
–
0.25 0.60  
0.35 0.80  
0.25 0.40  
0.50 1.00  
V
= 600V  
Turn–On Time  
Fall Time  
t
on  
–
t
f
–
Turn–Off Time  
t
off  
–
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE3323 NTE

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