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NTE3312

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管栅
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE3312 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：500 ns门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：600 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1050 ns
标称接通时间 (ton)：700 nsBase Number Matches：1

NTE3312 数据手册

 浏览型号NTE3312的Datasheet PDF文件第2页 
NTE3312  
Insulated Gate Bipolar Transistor  
N–Channel Enhancement Mode,  
High Speed Switch  
Features:  
D High Input Impedance  
D High Speed  
D Low Saturation Voltage  
D Enhancement Mode  
Applications:  
D High Power Switching  
D Motor Control  
Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V  
Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Collector Current, IC  
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Gate Leakage Current  
Collector Cutoff Current  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Gate–Emitter Cutoff Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Input Capacitance  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
I
V
V
= ±20V, V = 0  
–
–
–
–
±500  
1.0  
–
nA  
mA  
V
GES  
GE  
CE  
I
= 1200V, V = 0  
GE  
CES  
CE  
V
I = 2mA, V = 0  
1200  
3.0  
–
–
(BR)CES  
C
GE  
V
GE(off)  
I = 8mA, V = 5V  
–
6.0  
4.0  
–
V
C
CE  
V
I = 8A, V = 15V  
3.0  
1150  
V
CE(sat)  
C
GE  
C
ies  
V
= 10V, V = 0, f = 1MHz  
–
pF  
µs  
µs  
µs  
µs  
CE  
CC  
GE  
Rise Time  
t
r
–
0.30 0.60  
0.40 0.80  
0.25 0.50  
0.80 1.50  
V
= 600V  
Turn–On Time  
t
on  
–
Fall Time  
t
f
–
Turn–Off Time  
t
off  
–
12

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