NTE331

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

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NTE331 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	90 W
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

NTE331 数据手册

NTE331 (NPN) & NTE332 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Amp, Switch

Description:

The NTE331 (NPN) and NTE332 (PNP) are silicon epitaxial–base complementary power transistors

in a TO–220 plastic package intended for use in power linear and switching applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage (I_E= 0), V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage (I_B= 0), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage (I_C= 0), V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Total Power Dissipation (T_C≤ +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W Max

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

I_E= 0, V_CB= 100V

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

I_CBO

–

500 µA

I_E= 0, V_CB= 100V, T_C= +150°C

I_B= 0, V_CE= 50V

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

I_CEO

I_EBO

–

I_C= 0, V_EB= 5V

–

Collector–Emitter Sustaining

Voltage

V_CEO(sus)I_B= 0, I_C= 100mA, Note 1

100

Collector–Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

I_C= 5A, I_B= 0.5A, Note 1

I_C= 10A, I_B= 2.5A, Note 1

–

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NTE331 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6488G	ONSEMI	功能相似	Complementary Silicon Plastic Power Transisto
MJE3055TG	ONSEMI	功能相似	Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP41CG	ONSEMI	功能相似	Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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NTE3312	NTE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE331MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220AB
NTE332	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch
NTE3320	NTE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3321	NTE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3322	NTE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE3323	NTE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE332MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 100V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220AB

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