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NTE3320

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体开关晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE3320 数据手册

NTE3320

Insulated Gate Bipolar Transistor

N–Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

Features:

D High Input Impedance

D High Speed

D Low Saturation Voltage

D Enhancement Mode

Applications:

D High Power Switching

Absolute Maximum Raings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Gate–Emitter Voltage, V_GES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Collector Current, I_C

DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A

Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.625°C/W

Screw Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8Nm

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Gate Leakage Current

Collector Cutoff Current

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Gate–Emitter Cutoff Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

Input Capacitance

Symbol

Test Conditions

Min

–

Typ Max Unit

= ±20V, V = 0

–

±500

1.0

–

GES

= 600V, V = 0

–

CES

I = 2mA, V = 0

600

3.0

–

(BR)CES

GE(off)

I = 50mA, V = 5V

–

6.0

4.0

–

I = 50A, V = 15V

3.0

3500

CE(sat)

ies

= 10V, V = 0, f = 1MHz

–

µs

Rise Time

–

0.30 0.60

0.40 0.80

0.15 0.35

0.50 1.00

= 300V

Turn–On Time

–

Fall Time

–

Turn–Off Time

off

–

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