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NTE329 PDF预览

NTE329

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管射频功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, CB

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NTE329 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：TO-39, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.13Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：5 W
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE329 数据手册

 浏览型号NTE329的Datasheet PDF文件第2页 
NTE329  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amp, CB  
Description:  
The NTE329 is designed primarily for use in large–signal output amplifier stages. Intended for use  
in Citizen–Band communications equipment operating to 30MHz. High breakdown voltages allow a  
high percentage of up–modulation in AM circuits.  
Features:  
D Specified 12.5V, 28MHz Characteristic:  
Power Output = 3.5W  
Power Gain  
Efficiency  
= 10dB  
= 70% Typical  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28.6mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only  
when the device is operated as an RF amplifier.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 50mA, I = 0  
30  
60  
3
–
–
–
–
–
–
–
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 200mA, V  
= 0  
(BR)CES  
I = 1mA, I = 0  
(BR)EBO E C  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
ON Characteristics  
V
I
V
= 15V, I = 0  
–
0.01 mA  
CBO  
CB  
CE  
CB  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
V
= 2V, I = 400mA  
10  
–
–
–
–
C
Dynamic Characteristics  
Output Capacitance  
C
ob  
= 12.5V, I = 0, f = 1MHz  
35  
70  
pF  
E
12

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