NE6500379A

更新时间： 2024-11-14 03:46:43

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体射频场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	162K
描述
3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE6500379A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-PQFP-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (ID)：	5.6 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PQFP-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE6500379A 数据手册

NEC'S 3W, L/S-BAND

MEDIUM POWER GaAs MESFET

NE6500379A

FEATURES

OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)

• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE

Available on Tape and Reel

PACKAGE OUTLINE 79A

1.5 – 0.2

4.2 MAX

• USABLE TO 2.7 GHz:

Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000,

PCS

Source

Drain

Gate

• HIGH OUTPUT POWER:

35 dBm TYP

• HIGH LINEAR GAIN:

10 dB TYP at 1.9 GHz

0.4 – 0.15

5.7 MAX

• LOW THERMAL RESISTANCE:

5 C/W

0.8 MAX

3.6 – 0.2

BOTTOM VIEW

DESCRIPTION

NEC's NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for

medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-

2000, and return path MMDS transmitter applications. It is

capable of delivering 3 Watts of output power with high linear

gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and

performance uniformity are assured by NEC's stringent qual-

ity and control procedures

Note: Unless otherwise specified, tolerance is ±0.2 mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)

PART NUMBER

NE6500379A

79A

PACKAGE OUTLINE

SYMBOLS

CHARACTERISTICS

UNITS

MIN

TYP

MAX

TEST CONDITIONS

P1dB

Power Out at 1dB Gain Compression

dBm

35.0

f = 1.9 GHz, VDS = 6.0 V

Rg = 30 Ω

ηADD

Linear Gain¹

9.0

10.0

IDSQ = 500 mA (RF OFF)²

Power Added Efficiency

Drain Current

1.0

4.5

-2.6

IDSS

Saturated Drain Current

Pinch-Off Voltage

VDS = 2.5 V; VGS = 0 V

VDS = 2.5 V; IDS = 21 mA

-3.6

-1.6

RTH

Thermal Resistance

°C/W

Channel to Case

IGD = 21 mA

BVGD

Gate-to-Drain Breakdown Voltage

Notes:

1. Pin = 0 dBm

2. DC performance is tested 100%. Several samples per wafer are tested for RF performance. Wafer rejection criteria for standard devices is 1

reject for several samples.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

NE6500379A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE5520279A	NEC	功能相似	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE960R275	NEC	功能相似	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
FLL351ME	FUJITSU	功能相似	L-band medium & high power gaas FTEs

与NE6500379A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE6500379A-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE6500379A-T1	CEL	获取价格	3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE6500379A-T1	NEC	获取价格	3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A-T1-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE6500496	NEC	获取价格	4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE6500496_00	NEC	获取价格	L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE6500496-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE650103M	CEL	获取价格	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE650103M-A	CEL	获取价格	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6501077	NEC	获取价格	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

与NE6500379A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

2
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

2
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE6500379A

NE6500379A 技术参数

NE6500379A 数据手册

NE6500379A 替代型号

与NE6500379A相关器件

与NE6500379A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE6500379A

NE6500379A 技术参数

NE6500379A 数据手册

NE6500379A 替代型号

与NE6500379A相关器件

与NE6500379A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？