NE6500379A

更新时间： 2024-09-24 03:46:43

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CEL		晶体射频场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	162K
描述
3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

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NE6500379A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-PQFP-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (ID)：	5.6 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PQFP-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE6500379A 数据手册

NEC'S 3W, L/S-BAND

MEDIUM POWER GaAs MESFET

NE6500379A

FEATURES

OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)

• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE

Available on Tape and Reel

PACKAGE OUTLINE 79A

1.5 – 0.2

4.2 MAX

• USABLE TO 2.7 GHz:

Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000,

PCS

Source

Drain

Gate

• HIGH OUTPUT POWER:

35 dBm TYP

• HIGH LINEAR GAIN:

10 dB TYP at 1.9 GHz

0.4 – 0.15

5.7 MAX

• LOW THERMAL RESISTANCE:

5 C/W

0.8 MAX

3.6 – 0.2

BOTTOM VIEW

DESCRIPTION

NEC's NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for

medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-

2000, and return path MMDS transmitter applications. It is

capable of delivering 3 Watts of output power with high linear

gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and

performance uniformity are assured by NEC's stringent qual-

ity and control procedures

Note: Unless otherwise specified, tolerance is ±0.2 mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)

PART NUMBER

NE6500379A

79A

PACKAGE OUTLINE

SYMBOLS

CHARACTERISTICS

UNITS

MIN

TYP

MAX

TEST CONDITIONS

P1dB

Power Out at 1dB Gain Compression

dBm

35.0

f = 1.9 GHz, VDS = 6.0 V

Rg = 30 Ω

ηADD

Linear Gain¹

9.0

10.0

IDSQ = 500 mA (RF OFF)²

Power Added Efficiency

Drain Current

1.0

4.5

-2.6

IDSS

Saturated Drain Current

Pinch-Off Voltage

VDS = 2.5 V; VGS = 0 V

VDS = 2.5 V; IDS = 21 mA

-3.6

-1.6

RTH

Thermal Resistance

°C/W

Channel to Case

IGD = 21 mA

BVGD

Gate-to-Drain Breakdown Voltage

Notes:

1. Pin = 0 dBm

2. DC performance is tested 100%. Several samples per wafer are tested for RF performance. Wafer rejection criteria for standard devices is 1

reject for several samples.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7

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NE6500379A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE5520279A	NEC	功能相似	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE960R275	NEC	功能相似	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
FLL351ME	FUJITSU	功能相似	L-band medium & high power gaas FTEs

与NE6500379A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE6500379A-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE6500379A-T1	CEL	获取价格	3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE6500379A-T1	NEC	获取价格	3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A-T1-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE6500496	NEC	获取价格	4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE6500496_00	NEC	获取价格	L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE6500496-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE650103M	CEL	获取价格	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE650103M-A	CEL	获取价格	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6501077	NEC	获取价格	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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